賽普拉斯半導體提供全面的串行FRAM和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲器產(chǎn)品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關鍵數(shù)據(jù)。在關鍵任務數(shù)據(jù)記錄應用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)，或以低功耗設計的植入人體生命的患者監(jiān)護設備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。代理商宇芯電子介紹一款具有I2C接口128Kbit非易失性串行FRAM存儲器FM24V01A。
 
功能說明
FM24V01A是一款采用先進鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲器。鐵電存儲器芯片是非易失性的，執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
 
與EEPROM不同，F(xiàn)M24V01A以總線速度執(zhí)行寫操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O備后，數(shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了可觀的寫入耐久性。FRAM在寫入期間的功耗也比EEPROM低得多，因為寫入操作不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓。FM24V01A能夠支持10¹⁴個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM24V01A非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。示例范圍從數(shù)據(jù)記錄（其中寫入周期數(shù)可能至關重要）到要求苛刻的工業(yè)控制（EEPROM的長寫入時間可能導致數(shù)據(jù)丟失）。功能的組合允許更頻繁的數(shù)據(jù)寫入，而系統(tǒng)的開銷更少。
 
FM24V01A為串行EEPROM的用戶提供了實質(zhì)性的好處，作為硬件的替代品。該設備包含一個只讀設備ID，允許主機確定制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。器件規(guī)格在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)得到保證。
 
特征
■128-Kbit鐵電存儲器(FRAM)邏輯上組織為16K×8
?高續(xù)航100萬億(10¹⁴)次讀/寫
?151年的數(shù)據(jù)保留期
?NoDelay™寫入
?先進的高可靠性鐵電工藝
■快速兩線串行接口(I2C)
?高達3.4MHz的頻率[1]
?串行EEPROM的直接硬件更換
?支持100kHz和400kHz的傳統(tǒng)時序
■設備ID
?制造商ID和產(chǎn)品ID
■低功耗
?175-μA有功電流在100kHz
?150-μA待機電流
?8-μA睡眠模式電流
■低電壓操作：VDD=2.0V至3.6V
■工業(yè)溫度：–40℃至+85℃
■8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝
■符合有害物質(zhì)限制(RoHS)
 
功能概述
FM24V01A是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為16,384×8位，并使用兩線(I2C)接口進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行EEPROM。FM24V01A與具有相同引腳排列的串行EEPROM之間的主要區(qū)別在于鐵電存儲器的卓越寫入性能、高耐用性和低功耗。
 
內(nèi)存架構(gòu)
訪問FM24V01A時，用戶尋址16K個位置，每個位置8個數(shù)據(jù)位。這八個數(shù)據(jù)位串行移入或移出。這些地址使用兩線協(xié)議訪問，包括從地址（以區(qū)分其他非存儲設備）和兩字節(jié)地址。地址范圍的高2位是“無關”值。14位的完整地址唯一地指定了每個字節(jié)的地址。
 
內(nèi)存操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協(xié)議所需的時間。即以兩線總線的速度讀取或?qū)懭氪鎯ζ?。與串行EEPROM不同，由于寫入是以總線速度進行的，因此無需輪詢設備是否處于就緒狀態(tài)。當一個新的總線事務可以轉(zhuǎn)移到設備中時，寫操作就完成了。


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