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磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。
它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，
以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。

Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)入延遲，而且耐讀/寫(xiě)能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同，這些存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)操作可以是隨機(jī)的，而且沒(méi)有寫(xiě)入延遲。 Everspin MRAM可以說(shuō)是理想的存儲(chǔ)器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。能夠運(yùn)行于工業(yè)級(jí)（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內(nèi)，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤(pán)	MOQ /卷帶	PDF
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000	聯(lián)系我們
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000	聯(lián)系我們

備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請(qǐng)聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。

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