富士通半導體型號MB85R8M2T，是一款8Mbit FRAM，在富士通FRAM非易失性存儲器系列中具有最大的密度。
 
MB85R8M2T具有從1.8V到3.6V的寬電源電壓范圍和一個與SRAM兼容的并行接口。MB85R8M2T是最適合正在開發(fā)工業(yè)機械并希望使用比當前4Mbit FRAM密度更大的產(chǎn)品的客戶的需求的最合適的內(nèi)存，或者消除對SRAM的需要，該SRAM的使用屬于備份斷電時的數(shù)據(jù)。
 
通過在各種工業(yè)應用中使用這種新的FRAM產(chǎn)品替換SRAM設(shè)備，例如在設(shè)施和機器人的控制單元中，它可以消除對備用電池的需求，并且可以節(jié)省大約90%的內(nèi)存部件安裝面積。它有助于降低與電池相關(guān)的成本。
 
富士通半導體了FRAM非易失性存儲器產(chǎn)品，這些產(chǎn)品具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗。尤其是他們的FRAM產(chǎn)品保證讀/寫周期為10萬億周期，是競爭對手非易失性存儲器EEPROM的1000萬倍。因此富士通FRAM產(chǎn)品已被用于需要頻繁重寫數(shù)據(jù)的工業(yè)應用，例如實時數(shù)據(jù)記錄和3D定位數(shù)據(jù)記錄。
 
富士通半導體8Mbit FRAM產(chǎn)品MB85R8M2T，通過與SRAM兼容的并行接口在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。
 
FRAM產(chǎn)品采用48引腳FBGA封裝，尺寸非常小，僅為8.00x6.00毫米，是根據(jù)客戶要求開發(fā)的。如果客戶在其應用中使用44引腳TSOP封裝中的SRAM和數(shù)據(jù)備份電池，通過將其替換為FRAM，由于無需電池，可以節(jié)省大約90%的安裝表面積。（圖1）

   
用FRAM替換SRAM可有效降低與電池相關(guān)的總成本。取消數(shù)據(jù)備份電池不僅降低了組件成本，還消除了與更換電池、電池庫存和其他維護相關(guān)的定期成本，從而降低了開發(fā)和運營方面的總成本。因此這種無電池解決方案可以大大有助于降低上述總成本。(圖2)

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關(guān)鍵詞：鐵電存儲器  

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