Everspin MRAM MR1A16A和賽普拉斯FM28V202A使用類似于標準SRAM的地址，數(shù)據(jù)和控制信號。然而Everspin MR1A16A允許以35 ns的速度進行更快的讀寫操作。賽普拉斯的FRAM至少需要90ns的讀取周期才能進行隨機讀取訪問。
 
FM28V202A的內(nèi)部操作在60ns的初始讀取訪問之后需要至少30ns的預(yù)充電時間，從而導(dǎo)致90ns的隨機訪問最小循環(huán)時間。無論是由部件自定時還是由用戶通過將/ CE調(diào)高來啟動，都存在預(yù)充電時間。 FRAM在周期時間的初始訪問部分執(zhí)行讀取操作，然后在預(yù)充電時間內(nèi)將數(shù)據(jù)恢復(fù)到存儲單元（將數(shù)據(jù)寫回），就像DRAM一樣。這稱為破壞性讀出操作。 MRAM可以以這種較慢的FRAM讀取順序進行操作，但由于MRAM沒有破壞性的讀取機制，因此它實際上要快得多。讀取和寫入周期都會磨損FRAM。
 
MRAM具有無限的讀寫耐久性。 MR1A16A支持35 ns的讀取訪問和周期時間.MR1A16A不需要預(yù)充電周期，其初始讀取訪問時間比FRAM快兩倍，而隨機訪問則快三倍。FRAM和讀取周期一樣，需要90ns才能完成寫入周期。 MRAM將以此時序運行，但實際上其寫周期僅為35ns（比FRAM快3倍）。為了利用MR1A16A快三倍的隨機讀寫速度，您可能希望修改控制接口。MRAM無需更改即可直接插入大多數(shù)SRAM控制器中。
 
功率循環(huán)注意事項
FM28V202A的電源啟動時間為1 ms，而MR1A16A的電源啟動時間為2 ms。在啟動時間上的這種差異在大多數(shù)系統(tǒng)設(shè)計中都不會成為問題，因為有意識地使上電主機復(fù)位的時間更長，以確保所有電路都穩(wěn)定下來以開始運行。
 
電源注意事項
MRAM和FRAM均指定為標稱3.3V電源。 FRAM的待機電流為150 uA。為了使隨機存取速度提高三倍，MRAM的待機電流為9 mA。對于電池供電的應(yīng)用，設(shè)計人員可以利用MRAM的非易失性和對MRAM進行功率門控，以在不使用時將待機功耗降至零。


關(guān)鍵詞：MRAM FRAM

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