關于手機內(nèi)存標稱容量和實際容量不一致的話題再次引起了廣泛關注。那么這些數(shù)碼產(chǎn)品的標稱存儲容量和實際存儲容量為何會有差別呢?下面存儲芯片供應商宇芯電子簡單敘述一下關于存儲芯片壞塊的存在。
 
存儲芯片壞塊的存在
存儲芯片的種類五花八門，存儲芯片分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（NVM）。
 
其中，易失性存儲芯片又稱隨機存取記憶體，即它在任何時候都可以讀寫。不過，當電源關閉后，易失性存儲芯片不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中，如硬盤。
 
目前，易失性存儲芯片分為動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）。他們之間的不同在于生產(chǎn)工藝的不同。SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，而DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲器，而DRAM讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲器。
 
與易失性存儲芯片相對應的是非易失性存儲芯片。這類儲存芯片當電流關掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的存儲器，我們口中常稱的內(nèi)存就是這類芯片。
 
Nor Flash和Nand Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存芯片，Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，Nand結構可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應地降低了價格。同時由于Nand Flash 擦除速度遠高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存儲領域應用更加廣泛，比如U盤、SSD固態(tài)硬盤和eMMC存儲器里面的主要存儲單元等都是應用的Nand Flash。
 
由于生產(chǎn)工藝及結構的原因，NAND Flash不能保證每個存儲單元是好的，無法避免的會產(chǎn)生壞塊，這些無效塊無法確定編程時的狀態(tài)，就是大家常說的“壞塊”。
 
之前某些廠家也有做過消除壞塊的努力，但是效果都不理想，壞塊是隨機產(chǎn)生的，因此廠家并不能完全控制可用存儲塊的容量。
 
“壞塊”會占據(jù)一部分NAND Flash的存儲空間，這樣就會出現(xiàn)128GB的標稱存儲容量，實際可使用的空間就只有112G的容量可以做文件存儲使用。


關鍵詞： DRAM SRAM

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