經(jīng)常有人將MRAM稱(chēng)作是非易失性存儲(chǔ)器(NVRAM)未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒(méi)有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速緩沖器﹑配置內(nèi)存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。
 
Everspin半導(dǎo)體在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和制造及交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。包括40nm和28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM芯片生產(chǎn)。Everspin半導(dǎo)體在此生產(chǎn)基于180nm和130nm及90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。Everspin半導(dǎo)體擁有600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面均處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。  

 
作為一家將MRAM存儲(chǔ)芯片技術(shù)商業(yè)化的公司，Everspin通過(guò)不斷推出經(jīng)濟(jì)高效而且可靠的非易失性存儲(chǔ)器來(lái)長(zhǎng)期引導(dǎo)市場(chǎng)發(fā)展，例如Everspin MRAM MR2A16A 4Mb產(chǎn)品是一款商業(yè)Everspin MRAM器件，工作于商用級(jí)溫度范圍(o℃～+70℃)。
 
Everspin一款3V 4Mb的擴(kuò)展溫度范圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產(chǎn)品 MR2A16AV,從而擴(kuò)展了其MRAM的產(chǎn)品系列。Everspin提供了新的擴(kuò)展溫度范圍選擇，使MRAM存儲(chǔ)芯片可用于惡劣的應(yīng)用環(huán)境，如工業(yè)、航空和和汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)等。在這類(lèi)應(yīng)用中,半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品必須能夠忍受惡劣的工作環(huán)境和極端的溫度范圍。
 
Everspin一種1Mb器件MR0A16A,擴(kuò)展了商用MRAM產(chǎn)品系列。該存儲(chǔ)器件可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供另一種密度選擇，它針對(duì)的是主流嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)上的“最佳點(diǎn)(sweet spot)”。Everspin還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展其MRAM產(chǎn)品系列。
 
 
 
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