看圖1 我們可以知道這款MCU內(nèi)存字節(jié)在64/128,SRAM內(nèi)存字節(jié)為20, 在實際的使用會不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)不夠存儲的情況，那么選擇存儲外擴(kuò)時我們可以考慮一種偽靜態(tài)的SPI SRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，而靈動微這款MCU是提供了兩個SPI的借口，非常簡單實現(xiàn)單線、4線和8線的方式操作SRAM。SPI SRAM這種產(chǎn)品的速度,20MHz~200MHz,產(chǎn)品功耗較低，更重要的是在價格上有也較比6晶體的SRAM更具備優(yōu)勢，,同時容量范圍大16Mb/32Mb/64Mb。

 

  這種存儲解決方案已經(jīng)得到較多MCU相關(guān)廠家的認(rèn)可及支持。

 

  如果是要求對數(shù)據(jù)傳速速率比較高的產(chǎn)品應(yīng)用， 可以考慮選用DDR SPI SRAM,此種產(chǎn)品僅需要13 I/O，實現(xiàn)400MB/s或者3.2Gbps的數(shù)據(jù)吞吐速率。

SPI SRAM選型：http://flgmsolar.com/list-339-1.html

MCU選型：http://flgmsolar.com/list-75-1.html

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