FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通新推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期的產(chǎn)品。與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行、約30%的訪(fǎng)問(wèn)速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲(chǔ)器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品。
 
此款新并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫(xiě)入壽命超過(guò)10萬(wàn)億次，運(yùn)行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。FRAM的低功耗的獨(dú)特特性。非常適合工業(yè)機(jī)器，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。它是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬(wàn)億讀/寫(xiě)循環(huán)時(shí)間的產(chǎn)品。
 
在某些情況下，新的8Mbit FRAM為客戶(hù)帶來(lái)了無(wú)需使用SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池的好處。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決以下問(wèn)題，將SRAM替換為非易失性存儲(chǔ)器。（圖4）
 
問(wèn)題：更改接口設(shè)計(jì)和PCB設(shè)計(jì)的額外工作
解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
問(wèn)題：難以用寫(xiě)入速度非常慢的非易失性存儲(chǔ)器替代
解決方案：使用具有快速寫(xiě)入操作的FRAM，頁(yè)面模式下最大25ns
問(wèn)題：寫(xiě)入壽命高達(dá)10萬(wàn)億次導(dǎo)致設(shè)計(jì)限制
解決方案：使用寫(xiě)入壽命高達(dá)100萬(wàn)億次的FRAM