■產(chǎn)品描述
MB85RS16是FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）芯片，配置為2,048×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS
工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。MB85RS16采用串行外設(shè)接口(SPI)。MB85RS16與SRAM不同，無(wú)需備用電池即可保持?jǐn)?shù)據(jù)。MB85RS16中使用的存儲(chǔ)單元可用于10¹²次讀/寫操作，它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和E2PROM。MB85RS16不會(huì)像FLASH或E2PROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間，而且MB85RS16不需要等待時(shí)間。
 
■特點(diǎn)
•位配置：2,048×8位
•串行外圍設(shè)備接口：SPI（串行外設(shè)接口）
與SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)通信
•工作頻率：20MHz（最大）
•高耐久性：10¹²（一萬(wàn)億）次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保持：10年(+85℃),95年(+55℃),200年以上(+35℃)
•工作電源電壓：2.7V到3.6V
•低功耗：工作電流1.5mA（20MHz下的典型值）待機(jī)電流5μA（典型值）
•工作環(huán)境溫度范圍：−40℃到+85℃
•封裝：8引腳塑料SOP(FPT-8P-M02)
符合RoHS
 
串行外設(shè)接口(SPI)
MB85RS16作為SPI的從器件。通過使用配備SPI端口的微控制器可以連接多個(gè)器件。使用沒有配備SPI
端口的微控制器，可以通過模擬SPI總線操作。
 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案為客戶提供以鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)為中心的存儲(chǔ)器產(chǎn)品和各種解決方案，這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器。富士通的半導(dǎo)體部門于1999年開始批量生產(chǎn)FRAM，富士通FRAM作為提供非易失性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，即使在斷電時(shí)也能保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，以及隨機(jī)存取，因此贏得了客戶的好評(píng)。與傳統(tǒng)類型的非易失性存儲(chǔ)器（例如EEPROM和閃存）相比，F(xiàn)RAM具有獨(dú)特的功能，包括更高的寫入速度、更長(zhǎng)的讀/寫周期耐久性和更低的功耗。FRAM的應(yīng)用范圍很廣，例如IC卡、RFID標(biāo)簽。代理商宇芯電子支持提供產(chǎn)品測(cè)試及相關(guān)技術(shù)支持。


關(guān)鍵詞：富士通FRAM  MB85RS16 宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。