MR25H10MDC是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備，組織為131,072個(gè)8位字。MR25H10MDC提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時(shí)序，無(wú)寫延遲和無(wú)限讀/寫耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10MDC是理想的存儲(chǔ)器解決方案。everspin代理宇芯電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及解決方案。
 
MR25H10MDC采用5mmx6mm8引腳DFN封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10MDC在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。
 
特征
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8針DFN RoHS兼容
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級(jí)選項(xiàng)
 
器件引腳分配
 
MR25H10MDC是一個(gè)串行MRAM，內(nèi)存陣列邏輯組織為128Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口公共汽車。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無(wú)限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。

 
系統(tǒng)配置
單個(gè)或多個(gè)設(shè)備可以連接到總線，如圖所示。引腳SCK、SO和SI在器件中是通用的。每個(gè)器件都需要單獨(dú)驅(qū)動(dòng)CS和HOLD引腳。