ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。ISSI代理宇芯電子支持提供技術(shù)支持及產(chǎn)品解決方案。
 
主要特點(diǎn)
•高速訪問(wèn)時(shí)間：45ns，55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA（典型值）CMOS待機(jī)
•CMOS以實(shí)現(xiàn)最佳速度和功率以及TTL兼容接口級(jí)別
•單電源
–1.65V?1.98VVDD
（IS62/65WV102416DALL）
–2.2V?3.6VVDD
（IS62/65WV102416DBLL）
•完全靜態(tài)操作：無(wú)需時(shí)鐘或刷新
•工業(yè)和汽車(chē)溫度支持
 
 
48引腳TSOP-I

 
功能說(shuō)明
sram是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之一。每個(gè)字節(jié)或字都有一個(gè)地址，可以隨機(jī)訪問(wèn)。SRAM支持三種不同的模式。每個(gè)功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
 
待機(jī)模式
取消選擇時(shí)，設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫(xiě)模式
選擇芯片時(shí)且寫(xiě)使能輸入LOW時(shí)的寫(xiě)操作問(wèn)題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為L(zhǎng)OW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會(huì)關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫(xiě)入功能。通過(guò)啟用LOW，來(lái)自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入該位置。在地址引腳上指定。處于低電平時(shí)，來(lái)自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時(shí)，寫(xiě)使能（WE）輸入為高，則發(fā)生讀操作問(wèn)題。為低時(shí)，輸出緩沖器打開(kāi)以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對(duì)I/O引腳進(jìn)行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過(guò)啟用LOW，來(lái)自存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。處于低電平時(shí)，來(lái)自?xún)?nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過(guò)拉高來(lái)關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I(xiàn)/O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于設(shè)備處于讀取模式，因此使用有功電流.
 
框圖