目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器ReRAM，目前暫無商用產(chǎn)品，其代表公司是美國的Crossbar。
 
上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展方向仍是未知數(shù)。
 
在非易失性MRAM存儲(chǔ)器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域，并于2019年開始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。ReRAM存儲(chǔ)器仍然尚未商用，初創(chuàng)公司如Crossbar則正致力于其產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
 
當(dāng)前的新型存儲(chǔ)器尚不具備替代DRAM芯片或Nand閃存的能力，市場(chǎng)主要集中于低延遲存儲(chǔ)與持久內(nèi)存。分別比較3種存儲(chǔ)的介質(zhì)特性如下表所示。
     
MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命，從理論上有機(jī)會(huì)替代現(xiàn)在的內(nèi)存芯片和外存，但是由于涉及量子隧穿效應(yīng)，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲(chǔ)容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前，宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。


Everspin STT-MRAM  1Gb

Density	Org.	Part Number	Speed	Temp Rating	Package	Pack/Ship
1Gb	--	EMD4E001G08G2-150CAS2	667MHz	Commercial	78-BGA	Tray
1Gb	--	EMD4E001G08G2-150CAS2R	667MHz	Commercial	78-BGA	Tape & Reel
1Gb	--	EMD4E001G16G2-150CAS2	667MHz	Commercial	96-BGA	Tray
1Gb	--	EMD4E001G16G2-150CAS2R	667MHz	Commercial	96-BGA	Tape & Reel
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	667MHz	Commercial	78-BGA	Tray
1Gb	128Mb x8	EMD4E001G08G1-150CAS1	667MHz	Commercial	78-BGA	Tape & Reel
1Gb	64Mb x16	EMD4E001G16G2-150CAS1	667MHz	Commercial	96-BGA	Tray
1Gb	64Mb x16	EMD4E001G16G2-150CAS1R	667MHz	Commercial	96-BGA	Tape & Reel

 
 
 關(guān)鍵詞：新型存儲(chǔ)器MRAM  MRAM