MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè)，軍事及太空應用，這些對于MRAM存儲芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。


東京工業(yè)大學的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結(jié)構(gòu)只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。

自旋霍爾效應導致電子在材料的側(cè)面以一定的自旋積累。通過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結(jié)合，研究人員設法制造出具有巨型USMR的器件。

MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術(shù)仍遠未實現(xiàn)其潛力，但是截至2020年初，市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片，并且公司正在將這種技術(shù)用于許多應用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設計了多款校準方案，都在量產(chǎn)供貨中，獲得了大量用戶的認可。


Everspin MRAM存儲芯片

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000

關(guān)鍵詞：everspin MRAM