意法半導(dǎo)體MCU STM32F100xx低密度和中密度器件的工作溫度范圍為– 40至+ 85°C和– 40至+ 105°C，電源電壓范圍為2.0至3.6V。一套全面的省電模式允許設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用。

默認(rèn)情況下，系統(tǒng)或電源復(fù)位后，微控制器處于運(yùn)行模式。 當(dāng)不需要保持CPU運(yùn)行時(shí)，有幾種低功耗模式可以節(jié)省功率，例如，在等待外部事件時(shí)。 由用戶決定選擇哪種模式在低功耗，短啟動(dòng)時(shí)間和可用的喚醒源。睡眠模式是低功耗模式之一

STM32F10xxx睡眠模式 進(jìn)入睡眠模式

通過執(zhí)行WFI（等待中斷）或WFE（等待事件）指令進(jìn)入睡眠模式。根據(jù)Cortex-M3系統(tǒng)控制寄存器中的SLEEPONEXIT位，有兩個(gè)選項(xiàng)可用于選擇睡眠模式進(jìn)入機(jī)制：

●立即休眠：如果SLEEPONEXIT位被清除，則在執(zhí)行WFI或WFE指令后，MCU便進(jìn)入休眠模式。

●退出時(shí)休眠：如果SLEEPONEXIT位置1，則一旦退出最低優(yōu)先級ISR，MCU便進(jìn)入休眠模式。

在休眠模式下，所有I / O引腳保持與運(yùn)行模式相同的狀態(tài)。

有關(guān)如何進(jìn)入休眠模式的詳細(xì)信息，請參見表1和表2。 退出睡眠模式 如果使用WFI指令進(jìn)入睡眠模式，則嵌套向量中斷控制器（NVIC）確認(rèn)的任何外設(shè)中斷都可以將器件從睡眠模式喚醒。

如果使用WFE指令進(jìn)入休眠模式，則一旦事件發(fā)生，MCU就會(huì)退出休眠模式?？梢酝ㄟ^以下任一方式生成喚醒事件：

●使能外設(shè)控制寄存器中的中斷而不是NVIC中的中斷，并使能Cortex-M3系統(tǒng)控制寄存器中的SEVONPEND位。當(dāng)MCU從WFE恢復(fù)時(shí)，必須清除外圍中斷掛起位和外圍NVIC IRQ通道掛起位（在NVIC中斷清除掛起寄存器中）。

●或在事件模式下配置外部或內(nèi)部EXTI線路。當(dāng)CPU從WFE恢復(fù)時(shí)，無需清除外設(shè)中斷掛起位或NVICIRQ通道掛起位，因?yàn)槲丛O(shè)置與事件線相對應(yīng)的掛起位。

此模式提供了最短的喚醒時(shí)間，因?yàn)樵谥袛噙M(jìn)入/退出時(shí)不會(huì)浪費(fèi)時(shí)間。另外,靈動(dòng)微MCU MM32F10系列可直接與STM32F10系列相互代替兼容.

靈動(dòng)微MCU選型鏈接：http://flgmsolar.com/list-75-1.html

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