ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫(xiě)入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽(tīng)器等可穿戴設(shè)備。
 
    ReRAM具有放置在電極之間的金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，并且其制造工藝非常簡(jiǎn)單。它通過(guò)施加脈沖電壓對(duì)金屬氧化物薄膜產(chǎn)生的電阻的巨大變化來(lái)記錄“ 1或0”數(shù)據(jù)。
 
    與傳統(tǒng)的EEPROM相比，盡管具有相同的芯片尺寸，但富士通半導(dǎo)體的ReRAM具有兩倍以上的內(nèi)存容量。芯片的尺寸是有限的，以便適合小體積的助聽(tīng)器，而EEPROM是常用的。
 
    此外，由于富士通半導(dǎo)體的ReRAM與EEPROM規(guī)范兼容，因此只需用ReRAM替換EEPROM即可使用，從而最大限度地減少客戶在更換ReRAM時(shí)的設(shè)計(jì)工作。富士通ReRAM具有業(yè)界最小的讀取電流。最適合于助聽(tīng)器等電池供電的小型可穿戴設(shè)備。

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